Изучены спектры фотолюминесценции и фотовольтаического ответа в гетероструктурах GaInAsP/InP в напряженных слоях с квантовыми ямами, в которых варьировалась их толщина от 20 до 140 Angstrem и величина упругой деформации сжатия от 0.5 до 1.5%. Сопоставление теоретических расчетов с данными из спектров фотовольтаического ответа позволило установить, между какими энергетическими уровнями в зоне проводимости и в валентной зоне наблюдались переходы носителей с поглощением света при изменении толщины квантовой ямы. Переходы с наименьшей энергией хорошо согласуются с данными измерений фотолюминесценции. Рассмотрены два основных механизма уширения полосы фотолюминесценции - флуктуации состава твердого раствора и толщины квантовой ямы. Для квантовых ям толщиной более 80 Angstrem доминирующим является неоднородность состава. Для квантовых ям меньшей толщины оба механизма влияют на уширение полосы фотолюминесценции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.