"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка влияния эффектов сильного легирования и высокого уровня инжекции на фотовольтаический эффект в p+-- n-- n+-структурах с вертикальными переходами
Мнацаканов Т.Т.1, Шуман В.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Рассмотрено влияние совокупности эффектов сильного легирования и высокого уровня инжекции на характеристики кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами. Показано, что оба эффекта могут оказать существенное влияние на ограничение параметров солнечных элементов. Из всей совокупности эффектов легирования наиболее существенным оказывается эффект уменьшения ширины запрещенной зоны кремния.
  • F.A. Lindholm, C.T. Sah. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 299 (1977)
  • J.R. Hauser. P.M. Dunbar. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 305 (1977)
  • M.A. Green. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 671 (1984)
  • P. Campbell, M.A. Green. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 234 (1986)
  • S.K. Pang, A.W. Smith, A. Rohatgi. IEEE Trans. Electron Dev., ED-42, 662 (1995)
  • C. Goradia, B.L. Sater. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 342 (1977)
  • З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
  • И.В. Грехов, А.Е. Отблеск. РЭ, 19, 1483 (1974)
  • A. Herlet. Sol. St. Electron., 11, 717 (1968)
  • D.A. Kleinman. Bell Syst. Techn. J., 35, 685 (1956)
  • А.М. Васильев. РЭ, 13, 108 (1968)
  • Т.Т. Мнацаканов, Т.Е. Тугушева. РЭ, 30, 127 (1985)
  • В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  • Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 23, 1658 (1989)
  • T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I.Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.