"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электродвижущая сила кремниевых p- n-переходов в сильном сверхвысокочастотном поле
Гулямов Г.1
1Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 13 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Теоретически исследовано влияние модуляции высоты потенциального барьера p-n-перехода в сильном сверхвысокочастотном поле на токи и на электродвижущую силу горячих носителей, генерируемую диодом. Показано, что модуляция потенциального барьера увеличивает рекомбинационные токи и может объяснить аномально большие значения тока и электродвижущей силы, наблюдаемые в кремниевых p-n-переходах.
  • А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  • Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 26, 1041 (1992)
  • Ф.Г. Басс, Ю.Г. Гуревич. \it Горячие электроны и сильные электромагнитные поля в плазме полупроводников и газового разряда (М., Наука, 1974)
  • Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводников (М., Наука, 1977)
  • В.И. Смирнов. \it Курс высшей математики (М., Наука, 1972). т. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.