Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Некоторые характеристики индуцированных радиационно-термическим воздействием пар As_iZn_Ga в p-GaAs(Zn)

Глинчук К.Д.¹, Гурошев В.И.¹, Прохорович А.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 5 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние низкотемпературного (T=77 K) электронного облучения (Phi = 1· 10¹⁶ электрон/см²) и последующих отжигов (T=80-500 K) кристаллов p-GaAs(Zn) на образование и аннигиляцию пар As_iZn_Ga. Показано, что эффективная генерация пар As_iZn_Ga наблюдается в температурном интервале 20-225^oC. Анализ кинетики образования и аннигиляции пар As_iZn_Ga позволил определить коэффициент диффузии радиационно-стимулированных межузельных атомов мышьяка D [D~= 10^-17 см²/с при 20^oC, D~ exp(-0.45/kT) при 20-100^oC], энергию активации процесса из диффузии varepsilon_m=0.45 эВ, энергию связи между компонентами пар As_iZn_Ga varepsilon_b=0.55 эВ, а также энергию диссоциации последних varepsilon_d=1.0 эВ.

K.D. Glinchuk, V.I. Guroshev, A.V. Prokhorovich. Cryst. Res. Technol., 21, 811 (1986)
К.Д. Глинчук. Н.С. Заяц, А.В. Прохорович. ФТП, 23, 657 (1989)
К.Д. Глинчук. В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
L. Murray, R.C. Newman, J. Woodhead. Semicond. Sci. Technol., 2, 399 (1987)
J.D. Collins, G.A. Gledhill, R. Murray, R.C. Newman. Phys. St. Sol. B, 151, 469 (1989)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969)
Н.Б. Херней. Химия твердого тела (М., 1971)
A. Ourmazd, W. Schroter. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 549 (1989)
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 429 (1992)
R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 855 (1992)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1, 39 (1982)
G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. A, 102 443 (1987)
J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. A, 102, 499 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель