"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
<< Гашение>> замороженной фотопроводимости электрическими импульсами
Крещук А.М.1, Новиков С.В.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.

Исследовались изменения свойств низкоразмерного электронного газа в гетероструктурах под воздействием электрических импульсов различной амплитуды и длительности при гелиевых температурах. Продемонстрирована возможность управления параметрами низкоразмерных электронов и геометрическими размерами проводящего канала в субмикронных квантовых нитях за счет приложения к структуре коротких электрических импульсов. Показано, что воздействие электрических и световых импульсов приводит к противоположным изменениям свойств электронного газа, что позволяет говорить о ''гашении'' замороженной фотопроводимости.
  1. A.M. Kreshchuk, M.M. Kulagina, S.V. Novikov, I.G. Savel'ev, A. Shik, G.D. Kpshidze. Superlat. Microstruct., 16, 153 (1994)
  2. В. Воробьева, М.В. Егорова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. Письма ЖТФ, 15, 73 (1989)
  3. Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22, 1948 (1988)
  4. В.В. Воробьева, М.В. Егорова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, И.Г. Савельев. ФТП, 23, 1699 (1989)
  5. Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, И.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24, 653 (1990)
  6. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов. Письма ЖЭТФ, 33, 515 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.