"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Использование изотопов бора и облучение нейтронами для изготовления p-n-переходов в алмазных пленках
Карумидзе Г.С.1, Шавелашвили Ш.Ш.1
1Институт стабильных изотопов, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 28 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Предлагается технологическая схема, дающая возможность получения p-n-переходов в алмазных пленках с помощью изотопов бора 10B и 11B с последующим облучением тепловыми нейтронами ядерного реактора.
  • Алмаз в электронной технике (М., Энергоиздат, 1989)
  • J.G. Angus, C.C. Hayman. Science, 244, 913 (1988)
  • I.C. Ageus, H.A. Will, W.S. Stanko. J. Appl. Phys., 39, 2915 (1968)
  • D.J. Proferd, N.C. Gardner, J.G. Angus. J. Appl. Phys., 44, 1418 (1973)
  • G.S. Karumidze, G.A. Tevzadze, Sh.Sh. Shsavelashvili. \it Proc. 4th Europ. conf. on diamond, diamond-like and related materials, Sept. 20--24, 1994 (Portugal, Albufeira, Algarve, 1993) p. 175
  • И.С. Вавилов. УФН, 145, 929 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.