Динамика изменений прямого падения напряжения на pin-диодах в процессе импульсного нейтронного облучения
Афанасьев В.Н.1, Уваров Е.Ф.1
1Акционерное общество Научно-производственное предприятие ``Сапфир'', Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.
Исследованы изменения прямого падения напряжения на кремниевых pin-диодах с шириной i-области w=25-125 мкм, обусловленные импульсным нейтронным облучением и быстрым отжигом радиационных дефектов. Экспериментальные результаты проанализированы и объяснены с учетом немонотонной зависимости отношения ширины i-области к длине диффузии, изменяющейся в процессе нейтронного импульса и последующего отжига.
- D. Binder, D.T. Butcher, J.R. Crepps, E.L. Hammer. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS- 15, 84 (1968)
- L.R. Murray, G.C. Messenger. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS- 28, 4392 (1981)
- В.Н. Афанасьев, А.П. Степовик, П.И. Филимончева, Ю.Ф. Тутуров. ФТП, 5, 1067 (1971)
- В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. \it Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах (М., Атомиздат, 1969) р. 224
- J.M. Swartz, M.O. Thurston. J. Appl. Phys., 37, 745 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук