"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Чисто зеленая (lambda= 555 нм) люминесценция эпитаксиальных слоев GaP:Y
Гореленок А.Т.1, Шпаков М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Показано, что легирование растворов--расплавов иттрием при жидкофазной эпитаксии позволяет получать слои n-GaP, а легирование растворов--расплавов иттрием + магнием --- слои p-GaP с фотолюминесценцией в чисто зеленой (lambda=555 нм) области спектра при 300 K. Светоизлучающие p-n-структуры на основе таких слоев показывают электролюминесценцию также в чисто зеленой области спектра при 300 K. Чисто зеленая люминесценция объясняется существенным снижением донорного фона элементов VI группы и в первую очередь кислорода и серы.
  • А.Э. Юнович. В сб.: \it Излучательная рекомбинация в полупроводниках (М., Наука, 1972) С. 224
  • А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, Кумар Ракеш, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 22, 35 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.