"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика пассивации поверхности GaAs (100) в водных растворах сульфида натрия
Бессолов В.Н.1, Иванков А.Ф.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1, Стрыканов В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Изучалось изменение интенсивности фотолюминесценции GaAs (100) после пассивации поверхности в водных растворах сульфида натрия в зависимости от времени обработки, температуры и состава сульфидного раствора. Показано, что с увеличением времени обработки в сульфидном растворе интенсивность максимума фотолюминесценции сначала возрастает, а затем выходит на насыщение, причем время выхода на насыщение зависит от щелочности раствора и от концентрации в нем сульфид-ионов. При фиксированном времени обработки интенсивность максимума фотолюминесценции возрастает с увеличением температуры сульфидирования. Данные рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии сульфидированных поверхностей, во-первых, показывают наличие связей Ga--S и, во-вторых, указывают на уменьшение содержания окислов мышьяка на поверхности полупроводника с увеличением температуры сульфидирования. Возрастание интенсивности фотолюминесценции при сульфидной пассивации связывается главным образом с уменьшением содержания этих окислов.
  • C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  • E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
  • J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Japan. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
  • T. Tiedje, K.M. Kolbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 837 (1989)
  • Y. Fukuda, N. Sanada, M. Kuroda, Y. Suzuki. Appl. Phys. Lett., 61, 955 (1992)
  • J.S. Herman, F.L. Terry, Jr. Appl. Phys. Lett., 60, 716 (1992)
  • S. Kamiyama, Y. Mori, Y. Takahashi, K. Ohnaka. Appl. Phys. Lett., 58, 2595 (1991)
  • L.F. DeChiaro, C. J. Sandroff. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 561 (1992)
  • W.S. Hobson, U. Mohideen, S.J. Pearton, R.E. Slusher, F. Ren. Electron. Lett., 29, 2199 (1993)
  • A.J. Howard, C.I.H. Ashbey, J.A. Lott, R.P. Scheneider, R.F. Corless. J. Vac. Sci. Technol. A, 12, 1063 (1994)
  • R. Iyer, R.R. Chang, D.L. Lile. Appl. Phys. Lett., 53, 134 (1988)
  • H. Oigawa, J.-F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. J. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
  • A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992)
  • J.L. Leclercq, E. Bergignat, G. Hollinger. Semicond. Sci. Technol., 10, 95 (1995)
  • C.J. Sandroff, M.S. Hegde, C.C. Chang. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 841 (1989)
  • M.S. Carpenter, M.R. Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgas. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 845 (1989)
  • J. Shin, K.M. Geib, C.W.Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2337 (1991)
  • H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci., 242, 335 (1991)
  • H. Hirayama, Y. Matsumoto, H. Oigawa, Y. Nannichi. Appl. Phys. Lett., 54, 2565 (1989)
  • K.M. Geib, J. Shin, C.W. Wilmsen. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 838 (1990)
  • Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X.M. Ding, X.Y. Hoy, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64, 3425 (1994)
  • X.Y. Hou, W.Z. Cai, Z.Q. He, P.H. Hao, Z.S. Li, X.M. Ding, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 60, 2252 (1992)
  • V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)
  • В.Н. Бессолов, С.Г. Ершов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ, 36, 3601 (1994)
  • J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. \it Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, ed. by. J.Chastain (Perkin--Elmer Corp., 1992)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков. ФТТ, 34, 1713 (1992)
  • T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6303 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.