Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

К вопросу о времени жизни носителей в треках alpha-частиц при диффузионно-дрейфовом переносе в Si

Ильяшенко И.Н.¹, Строкан Н.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматривается перенос неравновесного заряда в p⁺-n-структуре при импульсной ионизации, производимой одиночными alpha-частицами. Проведен расчет диффузионного расползания трека для случая проникновения частицы в нейтральную базу и получена зависимость протекшего через p⁺-n-переход заряда от протяженности трека в базе. Предложен способ обработки данных для определения эффективного времени жизни носителей, проявляющегося в ходе растекания трека. Методика апробирована для p⁺-n-структур, полученных по планарной технологии либо техникой поверхностного барьера. Значения времени жизни сопоставлены с величинами, проявляющимися при дрейфовом переносе носителей в области поля p⁺-n-перехода.

L. Koch, J. Messier. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-8, N 1, 83 (1961)
Н.Б. Строкан. ПТЭ, N 1, 91 (1964)
А.В. Лыков. \it Теория теплопроводности (М., Высш. шк., 1967) с. 599
В.К. Еремин, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 20, 29 (1994)
A. Quaranta, A. Taroni, G. Zanarini. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-15, N 3, 373 (1968)
E. Verbitskaya, V. Eremin, N. Strokan, J. Kemmer, B. Schmidt, J. von Borani. Nucl. Instr. Meth. B, 84, N 1, 51 (1994)
B. Lax, S.T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
\it Abstracts 7^ th Int. Workshop on Room Temperature Semicond. x- and \gamma-Ray Detectors. EMRS (Sept., 1991, Italy) p. 76

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель