"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
К вопросу о времени жизни носителей в треках alpha-частиц при диффузионно-дрейфовом переносе в Si
Ильяшенко И.Н.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Рассматривается перенос неравновесного заряда в p+-n-структуре при импульсной ионизации, производимой одиночными alpha-частицами. Проведен расчет диффузионного расползания трека для случая проникновения частицы в нейтральную базу и получена зависимость протекшего через p+-n-переход заряда от протяженности трека в базе. Предложен способ обработки данных для определения эффективного времени жизни носителей, проявляющегося в ходе растекания трека. Методика апробирована для p+-n-структур, полученных по планарной технологии либо техникой поверхностного барьера. Значения времени жизни сопоставлены с величинами, проявляющимися при дрейфовом переносе носителей в области поля p+-n-перехода.
  • L. Koch, J. Messier. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-8, N 1, 83 (1961)
  • Н.Б. Строкан. ПТЭ, N 1, 91 (1964)
  • А.В. Лыков. \it Теория теплопроводности (М., Высш. шк., 1967) с. 599
  • В.К. Еремин, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан. Письма ЖТФ, 20, 29 (1994)
  • A. Quaranta, A. Taroni, G. Zanarini. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-15, N 3, 373 (1968)
  • E. Verbitskaya, V. Eremin, N. Strokan, J. Kemmer, B. Schmidt, J. von Borani. Nucl. Instr. Meth. B, 84, N 1, 51 (1994)
  • B. Lax, S.T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  • \it Abstracts 7^ th Int. Workshop on Room Temperature Semicond. x- and \gamma-Ray Detectors. EMRS (Sept., 1991, Italy) p. 76
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.