"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перенос электронов в твердых растворах Ge 1- xSi x в слабых электрических полях
Шаховцова С.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовались сплавы Ge1-xSix (0< x < 0.14), легированные сурьмой в концентрации 1014/ 1016 см-3. Сообщается об особенностях переноса электронов в слабых электрических полях, связанных с изменением закона дисперсии сплавов. Перестройка зоны проводимости вплоть до инверсии зон типа L1-> Delta1 достигалась в эксперименте при изменении состава сплава и под действием одноосной, в направлении < 100>, упругой деформации сжатия. Исследована эффективность механизмов рассеяния, ограничивающих подвижность электронов в сплавах различного состава при переходе от германиеподобного к кремниеподобному полупроводнику. Из сравнения полученных из эксперимента температурной, деформационной и концентрационной (от величины x) зависимостей холловской подвижности с результатами численного расчета, проведенного в приближении времени релаксации, установлено, что в германиеподобных сплавах доминирует акустическое и сплавное рассеяние, а в креминеподобных --- сплавное и междолинное рассеяние. Определены константы электрон-фононного взамимодействия для сплавов. Экспериментально и расчетным путем получены нелинейные функциональные зависимости кинетических коэффициентов сплавов в области инверсии.
  • E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954)
  • F. Bassani, D. Brust. Phys. Rev., 131, 1524 (1963)
  • W. Fawcett, E.G.S. Paige. J. Phys. C, 4, 1801 (1971)
  • Z. Dobrovolskis. Phys. St. Sol. (b), 58, K59 (1973)
  • J.C. McGroddy, M.J. Nathan. IBM J. Res. Dev., 11, 337 (1967)
  • E.G.S. Paige. IBM J. Res. Dev., 13, 562 (1969)
  • C. Jacoboni. Phys. Rev. (B), 24, 1014 (1981)
  • П.И. Баранский, В.В. Коломоец, Б.А. Сусь. ФТП, 13, 602 (1979)
  • М. Аше, З.С. Грибников, В.В. Митин, О.Г. Сарбей. \it Горячие электроны в многодолинных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1957)
  • C.N. Ahmad, A.R. Adams. Phys. Rev. B, 34, 2319 (1986)
  • И.Н. Белокурова, М.Г. Кекуа, Д.А. Петров. Изв. АН СССР. Неорг. матер., N 1, 9 (1959)
  • E. Shmidt. Phys. St. Sol., 27, 57 (1968)
  • R.A. Logan, J.M. Rowell, F. Trumbore. Phys. Rev., 136, 1751 (1964)
  • К. Херринг, Е. Фогт. В кн.: \it Проблемы физики полупроводников (М., Физматгиз, 1957)
  • П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. \it Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
  • T. Arizumi, A. Yoshida, N. Sawaki. Japan. J. Appl. Phys., 8, 700 (1969)
  • M.J. Nathan, W. Paul, H. Brooks. Phys. Rev., 124, 391 (1961)
  • K. Fletcher, G.D. Pitt. J. Phys. C, 4, 1822 (1971)
  • В.М. Бондар, О.Г. Сарбей, П.М. Томчук. ФТТ, 8, 2511 (1966)
  • А.Г. Самойлович, И.Я. Коренблит, И.В. Даховский. ФТТ, 3, 3285 (1961)
  • C. Canali, C. Jacoboni, F. Nava. Sol. St. Commun., 26, 889 (1978)
  • А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Физматгиз, 1962)
  • M. Glicksman. Phys. Rev., 111, 125 (1958)
  • D.L. Rode. Phys. St. Sol. (b), 53, 245 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.