"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перенос электронов в твердых растворах Ge 1- xSi x в слабых электрических полях
Шаховцова С.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Исследовались сплавы Ge1-xSix (0< x < 0.14), легированные сурьмой в концентрации 1014/ 1016 см-3. Сообщается об особенностях переноса электронов в слабых электрических полях, связанных с изменением закона дисперсии сплавов. Перестройка зоны проводимости вплоть до инверсии зон типа L1-> Delta1 достигалась в эксперименте при изменении состава сплава и под действием одноосной, в направлении < 100>, упругой деформации сжатия. Исследована эффективность механизмов рассеяния, ограничивающих подвижность электронов в сплавах различного состава при переходе от германиеподобного к кремниеподобному полупроводнику. Из сравнения полученных из эксперимента температурной, деформационной и концентрационной (от величины x) зависимостей холловской подвижности с результатами численного расчета, проведенного в приближении времени релаксации, установлено, что в германиеподобных сплавах доминирует акустическое и сплавное рассеяние, а в креминеподобных --- сплавное и междолинное рассеяние. Определены константы электрон-фононного взамимодействия для сплавов. Экспериментально и расчетным путем получены нелинейные функциональные зависимости кинетических коэффициентов сплавов в области инверсии.
  1. E.R. Johnson, S.M. Christian. Phys. Rev., 95, 560 (1954)
  2. F. Bassani, D. Brust. Phys. Rev., 131, 1524 (1963)
  3. W. Fawcett, E.G.S. Paige. J. Phys. C, 4, 1801 (1971)
  4. Z. Dobrovolskis. Phys. St. Sol. (b), 58, K59 (1973)
  5. J.C. McGroddy, M.J. Nathan. IBM J. Res. Dev., 11, 337 (1967)
  6. E.G.S. Paige. IBM J. Res. Dev., 13, 562 (1969)
  7. C. Jacoboni. Phys. Rev. (B), 24, 1014 (1981)
  8. П.И. Баранский, В.В. Коломоец, Б.А. Сусь. ФТП, 13, 602 (1979)
  9. М. Аше, З.С. Грибников, В.В. Митин, О.Г. Сарбей. \it Горячие электроны в многодолинных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1957)
  10. C.N. Ahmad, A.R. Adams. Phys. Rev. B, 34, 2319 (1986)
  11. И.Н. Белокурова, М.Г. Кекуа, Д.А. Петров. Изв. АН СССР. Неорг. матер., N 1, 9 (1959)
  12. E. Shmidt. Phys. St. Sol., 27, 57 (1968)
  13. R.A. Logan, J.M. Rowell, F. Trumbore. Phys. Rev., 136, 1751 (1964)
  14. К. Херринг, Е. Фогт. В кн.: \it Проблемы физики полупроводников (М., Физматгиз, 1957)
  15. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. \it Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
  16. T. Arizumi, A. Yoshida, N. Sawaki. Japan. J. Appl. Phys., 8, 700 (1969)
  17. M.J. Nathan, W. Paul, H. Brooks. Phys. Rev., 124, 391 (1961)
  18. K. Fletcher, G.D. Pitt. J. Phys. C, 4, 1822 (1971)
  19. В.М. Бондар, О.Г. Сарбей, П.М. Томчук. ФТТ, 8, 2511 (1966)
  20. А.Г. Самойлович, И.Я. Коренблит, И.В. Даховский. ФТТ, 3, 3285 (1961)
  21. C. Canali, C. Jacoboni, F. Nava. Sol. St. Commun., 26, 889 (1978)
  22. А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Физматгиз, 1962)
  23. M. Glicksman. Phys. Rev., 111, 125 (1958)
  24. D.L. Rode. Phys. St. Sol. (b), 53, 245 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.