"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация в узкощелевом твердом растворе n-Hg1-xCdxSe
Георгицэ Е.И.1, Паранчич С.Ю.1, Паранчич Л.Д.1, Постолаки И.Т.1, Смирнов В.А.1
1Тираспольский государственный университет, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 12 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследовалась излучательная рекомбинация в n-Hg1-xCdxSe (0.2=< x=< 0.32) в области температур (4.2/77) K и магнитных полей до 8 T. Концентрация неконтролируемых примесей Nd-NA изменялась в пределах (2/6)· 1016 см-3. Спектры фотолюминесценции n-Hg1-xCdxSe при 4.2 K в отсутствие магнитного поля имеют трехполосную структуру. На основе коплексных фотолюминесцентных и фотоэлектрических исследований, влияний температуры, магнитного поля произведена идентификация наблюдаемых излучательных полос: коротковолновая полоса A обусловлена экситонами, связанными на донорных примесях; полоса B --- экситон, связанный на флуктуациях состава; а длиноволновая полоса С обусловлена донорно-акцепторной рекомбинацией. Для глубины залегания донора получена величина 1.9 мэВ, а акцепторных состояний --- 90 и 8 мэВ.
  1. K. Kumazaki. Phys. St. Sol. B, 156, 371 (1989)
  2. M. Singhetal. J. Phys. C, 15, 6731 (1982)
  3. Н.П. Гавалешко, Л.Д. Паранчич, С.Ю. Паранчич, С.Ю. Бабий. УФЖ, 20, 633 (1975)
  4. C.J. Summers, J.G. Broerman. Phys. Rev. B, 21, 559 (1980)
  5. M.A. Lampert. Phys. Rev. Lett., 1, 450 (1958)
  6. V.I. Ivanov-Omskii, S.I. Kokhanovskii, R.P. Seysyan, V.A. Smirnov, V.A. Yukish, Sh.U. Yuldashev, Al.L. Efros. Sol. St. Commun., 46, 25 (1983)
  7. С.Д. Барановский, А.Л. Эфрос. ФТП, 11, 2233 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.