"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квазистационарный перенос заряда поверхностной акустической волной
Бугаев А.С.1, Захарова А.А.1
1Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Теоретически рассмотрен квазистационарный перенос заряда акустической волной в структурах на основе GaAs. Найдены условия формирования пакета заряда в потенциальной яме, создаваемой волной за счет пьезоэлектрического эффекта. Получены аналитические выражения для распределения концентрации электронов в пакете заряда и плотности тока в двумерной области переноса.
  • А.С. Бугаев, Ю.В. Гуляев, И.И. Сахацкий, В.А. Яценко. Зарубеж. радиоэлектрон., N 3, 23 (1991)
  • M.J. Hoskins, H. Morkoc, B.J. Hunsinger. Appl. Phys. Lett., 41, 332 (1982)
  • B. Schmukler, M.J. Hoskins. Appl. Phys. Lett., 52, 428 (1988)
  • B.C. Beggs, L. Young, R.R. Johnson. J. Appl. Phys., 63, 2425 (1988)
  • Ю.В. Гуляев, А.С. Бугаев, В.Н. Хитров, Н.Н. Шибанова. В кн.: \it Вопросы теории и практического использования поверхности акустических волн (М., МЭИ, 1989) N 2, с. 22
  • F.L. Augustine, R.J. Schwartz, R.L. Gunshor. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-29, 1876 (1982)
  • M.J. Hoskins, B.J. Hunsinger. J. Appl. Phys., 55, 413 (1984)
  • G.A. Peterson, B.J. McGartin, W.J. Tanski, R.E. LaBarre. Appl. Phys. Lett., 55, 1330 (1989)
  • S.M. Knapp, J.J. Lion, D.C.Malocha, In: \it Proc. IEEE Ultrasonics symp. (1989) p. 223
  • S.M. Knapp, J.J. Lion, D.C. Malocha. In: \it Proc. IEEE Ultrasonics symp. (1990) p. 243
  • S. Datta, B.J. Hunsinger. J. Appl. Phys., 49, 475 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.