Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование глубоких уровней в полуизолирующем GaAs методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного адмиттанса
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 11 января 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Проведен теоретический анализ фотоиндуцированного адмиттанса структуры ''металл-полуизолирующий полупроводник-металл'' и на его основе предложен новый неразрушающий метод исследования глубоких уровней в объемных полуизолирующих и высокоомных полупроводниках. Показано, что в отличие от метода релаксационной спектроскопии фотоиндуцированного тока, предлагаемый метод позволяет исследовать процессы захвата и эмиссии, протекающие в одинаковых условиях, что обеспечивает более корректное определение времени жизни носителей заряда и концентрации глубоких уровней. Метод апробирован на полуизолирующем арсениде галлия, выращенном методом Чохральского.
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. In: \it Proc. 6th Int. Symp. on GaAs and Related Compounds (Edinburgh, 1976) [Institute of Physics Conf. Ser. N 33 a, 73 (1977)]
- D.L. Losee. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
- Б.А. Бобылев, В.Н. Овсюк, С.Б. Севастьянов, В.И. Усик. ФТП, 23, 1932 (1989)
- Ch. Hurtes, M. Boulou, A. Mitonneau, D. Bois. Appl. Phys. Lett., 32, 821 (1978)
- O. Yoshie, M. Kamihara. Japan. J. Appl. Phys., 24, 431 (1985)
- L. Young, W.C. Tang, S. Dindo, K.S. Lowe. J. Electrochem. Soc., 133, 609 (1986)
- S.R. Blight, H. Thomas. J. Appl. Phys., 65, 215 (1989)
- Maria J.S.P. Brasil, P. Motisuke. J. Appl. Phys., 68, 3370 (1990)
- M. Tapiero, N. Benjelloun, J.P. Zielinger, S. El Hamd, C. Noguet. J. Appl. Phys., 64, 4006 (1988)
- J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D: Appl. Phys., 19, 57 (1986)
- С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., 1963)
- E. Schilbli, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 11, 323 (1968)
- G. Vincent, D. Bois. Sol. St. Commun., 27, 431 (1978)
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
- J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
- A. Mitonneau, A. Mircea, G.M. Martin, D. Pons. Rev. Phys. Appl., 4, 853 (1979)
- J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
- A.L. Lin, E. Omelianovski, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 47, 1852 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
