Вышедшие номера
Влияние имплантации ионов Ar+ на рассеяние света монокристаллами нелегированного фосфида индия
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона исследовано влияние имплантации ионов Ar+ с энергией 200 и 250 кэВ (доза 1016 см-2) в монокристаллы нелегированного фосфида индия. Установлено, что в результате ионной имплантации происходит увеличение концентрации свободных носителей тока в крупномасштабных скоплениях электрически активных дефектов.