Влияние имплантации ионов Ar+ на рассеяние света монокристаллами нелегированного фосфида индия
Юрьев В.А.1, Калинушкин В.П.1
1Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
Методом малоуглового рассеяния света среднего инфракрасного диапазона исследовано влияние имплантации ионов Ar+ с энергией 200 и 250 кэВ (доза 1016 см-2) в монокристаллы нелегированного фосфида индия. Установлено, что в результате ионной имплантации происходит увеличение концентрации свободных носителей тока в крупномасштабных скоплениях электрически активных дефектов.
- В.П. Калинушкин. Тр. ИОФАН (М.), 4, 3 (1986)
- В.П. Калинушкин, В.А. Юрьев, Д.И. Мурин. ФТП, 25, 798 (1990)
- V.P. Kalinushkin, V.A. Yuryev, D.I. Murin, M.G. Ploppa. Semicond. Sci. Technol., 7, A255 (1992)
- В.П. Калинушкин, А.А. Маненков, Г.Н. Михайлова и др. Микроэлектроника, 15, вып. 6, 528 (1986)
- А.Н. Морозов, В.Т. Бублик, В.Б. Освенский, А.В. Беркова, Е.В. Микрюкова, А.Я. Нашельский, С.В. Якобсон, А.Д. Попов. Кристаллография, 28, 776 (1983)
- Ф.П. Коршунов, С.И. Радауцан, Н.А. Соболев, И.М. Тигиняну, В.В. Урсаки, Е.А. Кудрявцева. ФТП, 23, 1581 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук