Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование поверхностных состояний на границе раздела SiO₂--SiC путем анализа входной комплексной проводимости МОП структуры в широком температурном интервале

Иванов П.А.¹, Пантелеев В.Н.¹, Самсонова Т.П.¹, Челноков В.Е.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для системы диэлектрик-<широкозонный полупроводник> модифицированы известные методики исследования поверхностных состояний с квазинепрерывным распределением по энергиям в запрещенной зоне полупроводника. В основу положен анализ характеристик МОП структуры типа емкость-напряжение и проводимость-напряжение, измеряемых на фиксированной частоте (1 кГц) в температурном интервале 296-580 K. Проведено исследование поверхностных состояний в системе SiO₂-< n-6H-SiC> с ориентацией (0001) Si. Показано, что поверхностные состояния с энергиями в верхней половине запрещенной зоны 6H-SiC имеют низкое сечение захвата электронов (~= 10^-17 см²) и поэтому могут считаться акцептороподобными. Минимум плотности состояний (D^min_t=2· 10¹¹ эВ^-1см^-2) приходится на энергию 0.4 эВ ниже дна зоны проводимости, однако плотность состояний возрастает в несколько раз при приближении как к дну зоны проводимости, так и к середине запрещенной зоны.

L.N. Termann. Sol. St. Electron., 5, 285 (1962)
E.N. Nicollian, A.Goetzberger. Bell. Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
Л.Б. Елфимов, П.А. Иванов. ФТП, 28, 161 (1994)
П.А. Иванов, А.О. Константинов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 1112 (1994)
П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 27, 1146 (1993)
В.Н. Овсюк. \it Электронные процесы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель