Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности GaAs

Венгер Е.Ф.¹, Кириллова С.И.¹, Примаченко В.Е.¹, Чернобай В.А.¹

¹Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 1 июня 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом температурных и электрополевых зависимостей поверхностной фотоэдс исследованы электронные свойства поверхностей арсенида галлия n-типа (111)Ga и (111)As после стандартной их обработки, а также после сульфидирования в водном растворе Na₂S· 9H₂O. На реальных поверхностях обнаружены N-образные зависмости поверхностного потенциала varphi_s при понижении температуры в пределах 300-100 K, что связано с заполнением поверхностных электронных состояний электронами и перестройкой самой системы этих состояний, вызывающей нарушение пиннинга уровня Ферми на поверхности. После сульфидирования GaAs зависимости varphi_s(T) изменяются. На состаренных сульфидированных поверхностях при понижении температуры не происходит перестройки спектра состояний и нарушения пиннинга уровня Ферми. При комнатной температуре на рельной и сульфидированной поверхностях получено U-подобное распределение плотности поверхностных состояний N_s по энергии в запрещенной зоне с минимумом вблизи положения уровня Ферми на поверхности. Сульфидирование уменьшает величину N_s в минимуме и смещает положение минимума ближе к валентной зоне. Исследован эффект фотопамяти потенциала varphi_s, связанный с захватом дырок на поверхностные ловушки при освещении GaAs. Сульфидирование уменьшает концентрацию глубоких ловушек на обеих поверхностях GaAs.

Н.Л. Дмитрук. Изв. вузов СССР. Физика, вып. 1, 38 (1980)
Н.Л. Дмитрук., О.И. Маева. Оптоэлектрон. полупр. техника, вып. 17, 29 (1990)
В.И. Белый, В.Р. Белослудов. В кн.: \it Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, 1988)
W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeath, C.Y. Su, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
J.L. Freeouf, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., 39, 727 (1981)
H. Hasegawa, T. Sawada. Thin Sol. Films, 103, 119 (1983)
H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1130 (1986)
C.J. Sandroff, R.N. Nottenbure, J.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
R. Iyer, R.R. Chang, D.L. Lile. Appl. Phys. Lett., 53, 134 (1988)
В.Л. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Е.Б. Новиков, В.И. Сафаров, Р.В. Хасиева, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1406 (1991)
Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Т.В. Белич, И.А. Карпович. ФТП, 26, 1383 (1992)
M. Sugiyama, S. Maeyama, M. Oshima, H. Oigawa, Y. Nannichi, H. Hashizuma. Appl. Phys. Lett., 60, 3247 (1992)
A.S. Weling, K.K. Kamath, P.R. Vaya. Thin Sol. Films, 215, 179 (1992)
V.E. Primachenko, O.V. Snitko, V.V. Milenin. Phys. St. Sol., 11, 711 (1965)
Н.Л. Дмитрук, В.И. Ляшенко, А.К. Терещенко. УФЖ, 17, 1356 (1972)
В.Е. Примаченко, О.В. Снитко. \it Физика легированной металлами поверхности полупроводников (Киев, 1988)
А.В. Саченко, О.В. Снитко. \it Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, 1984)
С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, вып. 12, 85 (1990)
С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Оптоэлектрон. полупр. техника, вып. 20, 15 (1991)
С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, О.В. Снитко. Поверхность, вып. 11, 74 (1991)
С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, Г.Ф. Романова, П.И. Диденко, В.А. Чернобай. Микроэлектроника, 22, вып. 3, 51 (1993)
С.Ф. Авраменко, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.С. Киселев, В.Е. Примаченко, О.Т. Сергеев, В.А. Чернобай. УФЖ, 38, 268 (1993)
С.Ф. Авраменко, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.С. Киселев, В.Е. Примаченко, О.Т. Сергеев, В.А. Чернобай. Поверхность, вып. 6, 89 (1993)
K.P. O'Donnell, X. Chen. Appl. Phys. Lett., 58, 2924, (1991)
В.Н. Овсюк, А.В. Ржанов. ФТП, 3, 294 (1969)
Ю.А. Зарифьянц, В.Ф. Киселев, С.Н. Козлов, Ю.Ф. Новотоцкий-Власов. Вестн. МГУ. Физика, N 1, 84 (1975)
К. Хилсум, А. Роуз-Инс. \it Полупроводники типа A^3B^5 (М., 1963)
T. Scimeca, Y. Muramatsu, M. Oshima, H. Oigawa, Y. Nannichi. Phys. Rev. B, 44, 12927 (1991)
T. Ohno. Phys. Rev. B, 44, 6306 (1991)
Y.W. Lam. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1370 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель