Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/InAsSb/InAsSbP

Бреслер М.С.¹, Гусев О.Б.¹, Айдаралиев М.¹, Зотова Н.В.¹, Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Стусь М.Н.¹, Талалакин Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 30 мая 1994 г.

Выставление онлайн: 20 января 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована фото- и электролюминесценция двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP с активной областью n- и p-типа. На основе построенных энергетических зонных диаграмм исследованных структур проведен анализ механизмов излучательных переходов, ответственных за наблюдаемые спектры. Изучены особенности возбуждения двойных гетероструктур, связанные с варизонностью внешнего ограничивающего слоя. Показана возможность создания перестраиваемого источника излучения с двумя фиксированными длинами волн.

M. Aydaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus, G.N. Talalakin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1575 (1993)
\it Electronic structure of semiconductor heterojunctions, ed. by G. Margaritondo (Dordrecht, 1988)
T. Fukui and Y. Horikoshi. Japan. J. Appl. Phys., 20, 587 (1981)
A. Mooradian, H.Y. Fan. \it Proc. 7^ th Int. Conf. Phys. Semicond. (Paris, 1964) p. 39
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Л.Д. Неуймина, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 19, 2031 (1985)
N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, A.V. Pentsov, S.V. Slobodchikov, N.M. Smirnova, N.M. Stus', G.N. Talalakin. \it Chemical, Biochemical, and Enviromental Fiber Sensors III, ed. by R.A.Lieberman. Proc. SPIE, 1587, 334 (1992)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 15, 49 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель