Особенности деградации полуизолирующего арсенида галлия при термообработках
Айбазов И.Ф.1, Михрин С.Б.1, Саморуков Б.Е.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
Исследовано изменение при термообработке удельного сопротивления приповерхностного слоя в нелегированном высокоомном GaAs, выращенном по методу Чохральского. Термообработка проводилась при температурах до 850o C в парах мышьяка при давлениях 0.1, 1.0, 5.0 атм. Результаты интерпретируются с привлечением собственных точечных дефектов V Ga и As Ga.
- M. Satoh, K. Yokoyama, K. Kuriama. \it Proc. 6 Conf. on Semi-Insulating materials (Toronto, 1990) p. 47
- N. Ohkubo, M. Shishikura, S. Matsumoto. J. Appl. Phys., 73, 615 (1993)
- Чао Чень, В.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, 35 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук