Исследовано изменение при термообработке удельного сопротивления приповерхностного слоя в нелегированном высокоомном GaAs, выращенном по методу Чохральского. Термообработка проводилась при температурах до 850^o C в парах мышьяка при давлениях 0.1, 1.0, 5.0 атм. Результаты интерпретируются с привлечением собственных точечных дефектов V _Ga и As _Ga.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.