Фотоэффект в эпитаксиальной p+- n-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел--металл
Барышев М.Г.1, Муравский Б.С.1, Черный В.Н.1, Яманов И.Л.1
1Кубанский государственный университет, Краснодар
Поступила в редакцию: 2 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1994 г.
Исследовано влияние света на частоту колебаний, возникавших за счет явления поверхностно-барьерной неустойчивости тока в кремниевой эпитаксиальной p+-n-структуре с переменной толщиной n-области и контактом металл-туннельный окисел-полупроводник, при локальном освещении n-области лучом лазера. Установлено, что при определенном положении светового пятна на поверхности n-области частота колебаний достигает максимального значения. Показано, что эффект возникает в том случае, когда глубина поглощения света совпадает с глубиной залегания p+-n-перехода.
- Б.С. Муравский, В.И. Кузнецов, Т.И. Фризен, В.Н. Черный. ФТП, 6, 2114 (1972)
- Б.С. Муравский, В.Н. Черный, И.Л. Яманов, А.Н. Потапов, М.А. Жужа. Микроэлектрон., 18, 304 (1989)
- Г.Е. Пикус. \it Основы теории полупроводниковых приборов (М., 1965)
- С.Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук