Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотопроводимость и ударная ионизация в стеклообразных пленках TlAsSe₂

Васильев В.А.¹, Кумеков М.Е.¹, Тагирджанов М.А.¹, Теруков Е.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 1993 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование стационарной фотопроводности и квантового выхода внутреннего фотоэффекта (eta) в пленках TlAsSe₂ в широком диапазоне 1.2-6.2 эВ. Исследовано влияние температуры (230-350 K) на пороговую энергию возрастания квантового выхода (eta>1), обусловленного ударной ионизацией, и среднюю энергию образования электронно-дырочной пары. Показана возможность создания эффективных ультрафиолетовых фотодиодов с барьером Шоттки на основе TlAsSe₂.

B.T. Kolomiets, V.M. Lyubin. Phys. St. Sol. (a), \bf 17, 11 (1973)
В.А. Васильев, М.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, В.Л. Аверьянов, М.А. Тагирджанов. Письма ЖТФ, \bf 19, вып. 9, 24 (1993)
В.Л. Аверьянов, Т.К. Звонарева, В.М. Любин. ФТП, \bf 26, 918 (1992)
Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков, М.Е. Кумеков, Е.И. Теруков, И.В. Шведков. ФТП, \bf 25, 1350 (1991); Письма в ЖТФ, \bf 17, вып. 3, 81 (1991)
С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Изд-во физ.-мат. лит., 1963)
M.E. Kumekov, S.E. Kumekov, E.I. Terukov, V.A. Vasilyev, V.E. Chelnokov. \it Proc. Conf. of SiC \it and Related Materials (Washington, 1993)
К.И. Брицын, В.С. Вавилов. Опт. и спектр., \bf 8, 861 (1960)
O. Christensen. J. Appl. Phys., 47. 689 (1976)
И.А. Акимов, Ю.А. Черкасов, М.И. Черкашин. \it Сенсибилизированный фотоэффект (М., Наука, 1980)
M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28, 355 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель