Влияние электрического поля на коэффициент резонансного прохождения в двухбарьерных квантовых структурах
Врубель М.М.1, Борздов В.М.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Обсуждается возможность увеличения коэффициента резонансного прохождения под действием электрического поля в асимметричных двухбарьерных наноструктурах. Рассмотрено влияние асимметрии барьеров на вольт-амперные характеристики двухбарьерных структур.
- H. Sakaki, T. Matsusue, M. Tsuchiya. IEEE, J. Quant. Electron., \bf 25, 2498 (1989)
- \it Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица, И.А. Стигуна (М., 1979)
- P. Gueret, C. Rossel, W. Schlup, H.P. Meier. J. Appl. Phys., \bf 66, 4312 (1989)
- J.H. Smet, T.P.E. Broekaerf, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., \bf 71, 2475 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук