Методом газофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои арсенида галлия на подложках из германия. Исследованы фотоэлектрические свойства гетероструктур p-GaAs/n-Ge в неполяризованном и линейно поляризованном излучении. Показано, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения на приемную поверхность GaAs возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого сохраняется постоянной в области 0.8-1.5 эВ и контролируется углом падения. Полученные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования от угла падения в случае совмещения плоскостей падения и поляризации указывают на высокое структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaAs на подложках из Ge. На основании полученных поляризационных параметров сделан вывод о перспективах применения гетероструктур GaAs/Ge в фотопреобразователях линейно поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.