Вышедшие номера
Поверхностная ультрафиолетовая фотолюминесценция кристаллов карбида кремния
Данишевский А.М.1, Рогачев А.Ю.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

Исследована ультрафиолетовая фотолюминесценция (УФ ФЛ) кристаллов и пленок SiC с энергиями, существенно превышающими Eg. Исходя из данных кинетики спада и поляризационных характеристик полос УФ ФЛ, был сделан вывод о кластерной природе излучения. Проведенные обработки поверхности кристаллов в KOH и различных растворителях показали, что центры свечения расположены в приповерхностном слое, и они возникают после механической обработки (шлифовка, полировка) поверхности кристаллов SiC.
  1. W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 127, 1868 (1962)
  2. А.А. Кальнин, В.В. Пасынков, Ю.М. Таиров, Д.А. Яськов. ФТТ, \bf 8, 2982 (1966)
  3. Y.A. Vodakov, Y.M. Tairov. Top. Appl. Phys., \bf 17, 31 (1977)
  4. И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко. ФТП, 25, 504 (1991)
  5. Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, \bf 25, 1437 (1991)
  6. B.A. Wilson. Phys. Rev. B, 23, 3102 (1981)
  7. C.A. Murray, T.J. Greytak. Phys. Rev. B, \bf 20, 3368 (1979)
  8. T.A. Egerton, A.H. Hardin. Catal. Rev. Sci. Eng., \bf 11, 71 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.