"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теория контактного поля в барьерной структуре металл--полупроводниковая сверхрешетка
Бычковский Д.Н.1, Константинов О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Предложена теория, позволяющая связать высоту и ширину ступенчатых особенностей на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки со сверхрешеткой с параметрами этой сверхрешетки. Сравнение теории с результатами ранее опубликованных экспериментов показало, что в сверхрешетке имеется большая плотность заряженных дефектов, встроенных в стенки квантовых ям. Заполнение ям определяется главным образом электронами, пришедшими с этих стеночных дефектов. Определены поверхностные концентрации дефектов в трех ямах, ближайших к поверхности, причем оказалось, что концентрации дефектов в стенках различных ям отличаются в несколько раз. Изучение вольт-фарадной характеристики при низких температурах приводит к выводу о наличии туннелирования электронов между ямами сквозь весьма толстые барьеры порядка трехсот ангстрем.
  • В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, Е.Р. Линькова, А.В. Мурель, Ю.А. Романов. ФТП, \bf 27, 931 (1993)
  • Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов. ФТП, 26, 921 (1991)
  • Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, М.М. Панахов. ФТП, \bf 26, 653 (1992)
  • \it The Semicinductior Card-Compliments of Howard University. Mater. Sci. Res. Center of Excellence (Washington, DC, 1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.