Предложена теория, позволяющая связать высоту и ширину ступенчатых особенностей на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки со сверхрешеткой с параметрами этой сверхрешетки. Сравнение теории с результатами ранее опубликованных экспериментов показало, что в сверхрешетке имеется большая плотность заряженных дефектов, встроенных в стенки квантовых ям. Заполнение ям определяется главным образом электронами, пришедшими с этих стеночных дефектов. Определены поверхностные концентрации дефектов в трех ямах, ближайших к поверхности, причем оказалось, что концентрации дефектов в стенках различных ям отличаются в несколько раз. Изучение вольт-фарадной характеристики при низких температурах приводит к выводу о наличии туннелирования электронов между ямами сквозь весьма толстые барьеры порядка трехсот ангстрем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.