"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
Терехов В.А.1, Селезнев В.Н.1, Домашевская Э.П.1
1Воронежский государственный университет,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии проведено исследование влияния возбуждающего спектр Si-L2,3 электронного пучка на энергетическое распределение локализованных состояний в запрещенной зоне аморфного нитрида кремния. Установлено, что с ростом дозы электронного облучения происходит перераспределение электронной плотности из энергетической области E=Ev+2.2 эВ в область E=Ev+0.5 эВ. Уменьшение электронной плотности при E=Ev+2.2 эВ интерпретируется захватом электронов на D0-центры и переходом их в D--центры, энергетически локализованные вблизи зоны проводимости.
  1. E.P. Domashevskaja, V.N. Seleznev, E.N. Desjatirikova, V.A. Terekhov. Mickroelectr., \bf 20, 11 (1989)
  2. J. Robertson. J. Appl. Phys., 54, 4490 (1983)
  3. Э.П. Домашевская, Ю.К. Тимошенко, В.А. Терехов, Е.Н. Десятирикова, В.Н. Селезнев. В сб.: Докл. Всес. семинара "Новые идеи в физике стекла", 60. М. (1987)
  4. R.A. Street. Adv. Phys., 25, 397 (1976)
  5. В.А. Гриценко, П.А. Пандур. ФТТ, 28, 3239 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.