Электрофизические свойства поверхностей PbTe и (PbSn)Te
Яфясов А.М.1
1Институт физики при Санкт-Петербургском государственном университете,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Экспериментально методом эффекта поля в электролитах исследованы электронные и зонные параметры PbTe и Pb1-xSnxTe с x=0.20, 0.25, 0.30. Определены значения ширины запрещенной зоны, эффективных масс плотностей электронных и дырочных состояний на поверхности в области пространственного заряда этих материалов. Показано, что в приповерхностном объеме PbTe и Pb1-xSnxTe закон дисперсии разрешенных зон может быть удовлетворительно описан в рамках параболической модели.
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сальков, Ф.Ф. Сизиков. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Современные тенденции, новые материалы, 256. Киев (1984)
- Х. Кейси, М. Панн. Лазеры на гетероструктурах, 115. М. (1981)
- В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов. Вестн. ЛГУ, \bf 4, 18 (1989)
- А.М. Яфясов, В.В. Монахов, О.В. Романов. Вестн. ЛГУ, \bf 4, 104 (1986)
- И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников, 328. М. (1978)
- В.В. Монахов, А.М. Яфясов, О.В. Романов. ФТП, \bf 20, 954 (1986)
- В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников, 338. М. (1965)
- Н.Н. Берченко, А.И. Евстигнеев, В.Ю. Ерохов, А.В. Матвеенко. Зарубежная электронная техника, \bf 3, 3 (1981)
- Narrow-gap semiconductors, 98, 309. Berlin--N.Y.--Tokio: Springer-Verlag (1982)
- S.P. Yordanov. Bulg. J. Phys., 17, 507 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук