"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs (100) при молекурярно-пучковой эпитаксии
Голубок А.О.1, Гурьянов Г.М.1, Леденцов Н.Н.1, Петров В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1, Типисев С.Я.1, Цырлин Г.Э.1
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.