"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование квазибаллистической неустойчивости в структурах из InP
Караваев Г.Ф.1, Ткаченко Е.А.1, Уйманов Е.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова,, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 5 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

С помощью моделирования методом частиц изучена температурная зависимость амплитуды колебаний тока при квазибаллистической неустойчивости в структурах из InP. Показана возможность наблюдения колебаний тока при температурах около 60 K и ниже при условии инжекции электронов в активную n-область через гетеропереход.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.