Экспериментально изучена дифференциальная емкость контактного барьера между металлом и халькогенидным стеклообразным полупроводником (Al-As₂Se₃) в области инфранизких частот (10^-1...10^-3 с^-1) модулирующего напряжения и при температурах в интервале 290-400 K. Частотная и температурная зависимости емкости согласуются с представлением об участии в отклике на изменение внешнего напряжения все более глубоких локализованных состояний в квазизапрещенной зоне стеклообразного полупроводника. В приближении "нулевой частоты", достигаемом при наибольшем периоде внешнего напряжения и наивысшей температуре образца, выполнена оценка средней плотности локализованных состояний вблизи уровня Ферми N(E_F)=(2-9) 10¹⁹ см^-3·эВ^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.