"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование структуры токовых нитей в Si<Zn>
Астров Ю.А.1, Хорев С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Изучалась внутренняя структура стационарных нитей тока в Si<Zn>, которые генерируются в области сверхлинейности глобальной ВАХ. Пространственные распределения тока в нитях измерялись с помощью фотометрирования свечения газа при пропускании тока через систему "полупроводник-газоразрядный промежуток". Метод обеспечивает пространственное разрешение ~10 мм-1 и дает возможность количественно характеризовать распределения с перепадом плотности тока >~=102. Получены данные о трансформации формы и амплитудных значений плотности тока в нитях в области гистерезиса ВАХ. Результаты работы свидетельствуют в пользу диффузионного механизма неустойчивости, которая приводит к расслоению тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.