"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Токовые структуры в Si<Zn>
Астров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

С использованием системы "полупроводник-разрядный промежуток" изучались явления образования сложных пространственных распределений тока в высокоомном кремнии, легированном цинком. Неустойчивости пространственно однородных распределений с образованием множественных токовых нитей возникали при увеличении напряжения на образце выше критических значений. Визуализация образующихся структур осуществлялась с помощью тонкого распределенного по сечению образца газоразрядного промежутка. Показано, что в условиях экспериментов разрядная область выполняет лишь пассивную роль и не ответственна за появление токовых структур. Нити тока идентичны друг другу и имеют в поперечном сечении сложный профиль, который связан с симметрией кристалла. Система с нитями обнаруживает гистерезис глобальной ВАХ и эффект мультистабильности полного тока. В области существования нитей полный ток примерно пропорционален третьей степени электрического поля в образце. Наблюдающиеся явления находят феноменологическое объяснение в рамках моделей "активатор-ингибитор", описывающих образование структур в распределенных активных средах с диффузией. Предварительные экспериментальные данные позволяют предположить, что в качестве активирующей стадии в расслоении тока служит явление двойной инжекции носителей в объем, а температура кристалла выступает в роли ингибитора этого процесса.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.