"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика образования структурных дефектов в поверхностном слое кремния при термическом окислении
Шаповалов В.П.1, Грядун В.И.1, Токарев В.П.1
1Запорожский машиностроительный институт им. В.Я. Чубаря, Запорожье, Украина
Поступила в редакцию: 12 июля 1991 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Исследована кинетика образования и эволюция микродефектов в поверхностном слое кремния на границе с окислом при его термическом окислении в зависимости от толщины окисла. Окислялись пластины n-Si<P> с концентрацией фосфора NP=5·1016 см-3 ориентации (111) в парах H2O + 4 % HCl при температуре 1000oC с вариацией времени окисления от 4 до 360 мин. Вид и плотность микродефектов на поверхности кремния под окислом исследовались визуально в металлографическом микроскопе при выявлении их путем травления в избирательном травителе Сиртла после стравливания слоя SiO2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.