"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства теллурида висмута, легированного индием
Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Равич Ю.И.1, Абайдулина Т.Г.1, Компанеец В.В.1, Бушмарина Г.С.1, Драбкин И.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Предпринята попытка обнаружения примесных состояний индия в теллуриде висмута с помощью сложного двойного легирования. Обнаружены аномалии в термоэдс и коэффициенте Нернста-Эттингсгаузена при низких температурах в виде глубокого минимума в зависимостях от концентрации дырок. Стабилизация уровня Ферми при дополнительном легировании образцов с индием примесью хлора не наблюдалась, что свидетельствует об отсутствии примесных уровней индия выше вершины валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.