"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности зависимости от тока эффективности спонтанного излучения лазерных диодов с одиночной квантовой ямой на основе AlGaAs/GaAs
Гарбузов Д.3.1, Гулаков А.Б.1, Кочнев И.В.1, Шерняков Ю.М.1, Халфин В.Б.1, Явич Б.С.1
1Физика-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Приводятся результаты исследования зависимости эффективности спонтанного излучения активной области и барьерных слоев от плотности тока в квантово-размерных лазерных диодах на AlGaAs/GaAs. Установлено, что основными причинами возрастания пороговой плотности тока и уменьшения дифференциальной эффективности в лазерных диодах с большими потерями на выход являются возрастание доли неравновесных носителей, рекомбинирующих в волноводных слоях, и электронная утечка в p-эмиттер.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.