При температурах 2 и 77 K в n-GaAs : Sn исследована широкая полоса фотолюминесценции с максимумом вблизи энергии фотонов 1.2 эВ, связываемая с комплексом V_GaSn_Ga. Обнаружено, что поляризационные диаграммы и пьезоспектроскопические зависимости фотолюминесценции в диапазоне давлений 0-4 кбар подобны полученным ранее для комплекса V_GaTe_As и свидетельствуют о триклинной симметрии исследуемых комплексов и их выстраивании при давлении вдоль оси [111] или [110]. Численные расчеты указанных характеристик проведены в модели, описывающей искажения T_d-симметрии решетки в области комплекса в виде суперпозиции искажений вдоль различных кристаллографических направлений. Качественное согласие с экспериментом может быть достигнуто, если одна из компонент искажения совпадает по направлению с осью пары V_Ga-Sn_Ga (направление типа <110>), а компонента искажения, переориентирующаяся при низких температурах, направлена вдоль оси типа <111>, перпендикулярной оси пары. Выстраивание комплексов при одноосном давлении обусловлено выстраиванием переориентирующихся компонент их искажения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.