"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Детекторы ионизирующего излучения на структуре сцинтиллятор (подложка) --- планарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe
Коваленко А.В.1, Бочкова Т.М.1
1Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 17 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Показана возможность создания комбинированных детекторов ионизирующего излучения: сцинтиллятор (подложка) --- пленарный фотоприемник ZnSexTe1-x-ZnSe. В качестве подложек использованы кристаллы Bi4Ge3O12 и ZnSe. Фотоприемник на основе варизонного слоя ZnSexTe1-x, полученный методом газофазной эпитаксии в токе очищенного водорода, обеспечивает хорошее согласование между спектром излучения подложки и областью фоточувствительности гетероструктуры ZnSexTe1-x-ZnSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.