"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Сергеев Д.В.1, Федоров Л.М.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Сообщается об особенностях электрических свойств структур p-n-GaP/n-Si, которые были получены методом газофазной эпитаксии в открытой хлоридной системе Ga (GaP)-PCl3-H2. Впервые установлено значительное уменьшение последовательного сопротивления созданных структур p-n-GaP/n-Si по сравнению с сопротивлением обычных p-n-структур из GaP (на GaP-подложках) при азотных температурах, хотя при комнатной температуре их сопротивления практически одинаковы. Сравнительно малое последовательное сопротивление в p-n-структурах из GaP на Si-подложках открывает возможность исследования механизма протекания тока при 77 K путем непосредственного измерения I-Uj-характеристики (Uj --- напряжение на слое объемного заряда p-n-перехода). Температурная зависимость I-Uj-характеристики дает основание предположить туннельно-избыточный механизм тока в исследованных p-n-структурах из GaP на Si-подложках, который, по-видимому, имеет дислокационное происхождение. Благодаря уменьшенному (при 77 K) последовательному сопротивлению выращенные структуры p-n-GaP/n-Si отодвигают нижнюю границу температурного диапазона работы p-n-структур из GaP до азотных температур, сохраняя неизменной верхнюю границу ~400oC и расширяя тем самым весь температурный диапазон.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.