"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC (000\=1)C
Иванов П.А.1, Пантелеев В.Н.1, Самсонова Т.П.1, Суворов А.В.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Проанализирована малосигнальная комплексная проводимость МОП конденсатора Al/SiO2/6H-SiC на частоте 1 КГц при комнатной температуре. Подзатворный диэлектрик толщиной 15 нм выращен термическим окислением эпитаксиального слоя n-6H-SiC с ориентацией (0001)C в потоке сухого кислорода при температуре 1100oC. Показано существование на границе раздела SiO2/SiC поверхностных состояний (ПС) с очень большим временем релаксации при комнатной температуре (не менее нескольких ч). Из исследований релаксации зарядового состояния МОП структуры при освещении "примесным" для SiC светом (после неравновесного обеднения приповерхностной области SiC основными носителями) оценены плотность и энергетическое положение данных ПС в запрещенной зоне 6H-SiC : Nt>~= 1013 см-2, Et~= Ec-0.9 эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.