"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Визуализация электрических неоднородностей в полуизолирующем арсениде галлия
Лебедева Н.Н.1, Орбух В.И.1, Зейналлы А.X.1
1Бакинский государственный университет им. М.Э. Расул-заде,, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 11 сентября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Представлен новый вариант визуализации распределения электропроводности и фоточувствительности в полупроводниковых высокоомных (rho<=106 Ом·см) материалах. Используется фотоионизационная система с плоской газоразрядной ячейкой, где исследуемый полупроводник помещается в газоразрядном зазоре между двумя прозрачными металлическими электродами. Электрические неоднородности полупроводника визуализируются в свечении газового разряда и на поверхности полупроводника, обращенной к катоду. Из сравнения полученных изображений с картиной химического травления поверхности полупроводника делается вывод о возможности визуализации этим способом дислокационного узора. Проведен анализ влияния структуры неоднородностей на их разрешение этим методом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.