"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фотоэдс в GaAs и InP
Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Методом динамического конденсатора исследованы люкс-вольтовые характеристики (ЛВХ) стационарной поверхностной фотоэдс в n-GaAs и p-InP. Установлено, что на химически очищенных (свежестравленных) поверхностях параметр неидеальности ЛВХ (eta), характеризующий в единицах kT/e наклон ЛВХ, построенной в полулогарифмических координатах, близок к единице. Химико-механическая полировка поверхности приводила к увеличению eta в ~=2 раза. Эффект проявлялся при наличии инверсионных изгибов зон на поверхности и обусловлен влиянием на фотоэдс рекомбинационных процессов в приповерхностной области пространственного заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.