"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние границы раздела на захват и эмиссию носителей глубокими центрами
Пахомов А.А.1, Яссиевич И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Рассмотрены захват и эмиссия носителей глубокими центрами вблизи интерфейса (поверхности кристалла, гетероперехода). Показано, что темпы эмиссии и захвата носителей на такие центры экспоненциально возрастают по мере приближения дефекта к интерфейсу.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.