"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN
Сафаралиев Г.К.1, Таиров Ю.М.1, Цветков В.Ф.1, Шабанов Ш.Ш.1, Пащук Е.Г.1, Офицерова Н.В.1, Авров Д.Д.1, Садыков С.А.1
1Дагестанский государственный университет им. В.И. Ленина,, Махачкала, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Исследованы механические и электрические свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN, полученных методом горячего прессования при температурах 2150-2300 K в инертной среде азота и давлении прессования 35 МПа. Показано, что в интервале концентраций 30-90 вес% AlN --- кажущаяся плотность, продольная и поперечная скорости распространения ультразвуковых волн и модуль Юнга матрицы твердых растворов SiC-AlN выше, чем в исходных компонентах. Установлено, что характер температурной зависимости электропроводности определяется двумя факторами: концентрацией электрически активных примесей Al и N в решетке SiC (300-1800 K) и увеличением ширины запрещенной зоны SiC-AlN с ростом содержания нитрида алюминия. Удельное электрическое сопротивление в поликристаллических твердых растворах SiC-AlN при 300 K в зависимости от состава изменялось в пределах 1010-1015 Ом·см. Диэлектрическая проницаемость твердых растворов SiC-AlN с концентрацией более 50 вес% AlN при частоте f = 1 МГц составляла менее 30, приближаясь к значениям для чистых SiC и AlN. Делается вывод о перспективности применения керамики на основе SiC-AlN в качестве подложек для интегральных микросхем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.