Построена теория неустойчивости четверных твердых растворов A_1-xB_xC_1-yD_y-типа полупроводников A^IIIB^V по отношению к когерентному разделению фаз. Показано, что четверные твердые растворы полупроводников A^IIIB^V становятся неустойчивыми относительно когерентного разделения фаз при T=400-1200 K. Установлено, что в результате разделения фаз возникает система слоистых доменов с чередующимся составом твердого раствора (или, другими словами, естественная напряженная слоистая сверхрешетка с макроскопическим периодом). Вблизи критической температуры диаграмма когерентного разделения фаз четверных твердых растворов и периоды естественных сверхрешеток получены в аналитическом виде. При произвольных температурах и составах твердого раствора диаграммы когерентного разделения фаз и периоды сверхрешеток рассчитаны численно на основе приближения регулярных растворов для четверных твердых растворов CaInAsP и CaAlAsSb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.