"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Профили изотопов, образованных в полупроводниковых соединениях AIIIBV при облучении высокоэнергетичными alpha-частицами
Дидик В.А.1, Козловский В.В.1, Малкович Р.Ш.1, Скорятина Е.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Исследованы профили трансмутационных радионуклидов, созданных в арсениде галлия, фосфиде галлия и арсениде индия облучением alpha-частицами с энергией E0=20 МэВ (поток 6· 1011 см-2·с-1, время облучения 1 ч). Профили определялись сошлифовыванием слоев (толщиной 2-10 мкм) и их радиометрией с использованием калиброванного гамма-спектрометра с Ge(Li)-детектором. Исследовались радионуклиды 71As, 72As и 74As в GaAs и GaP и 77Br в GaAs и InAs. Глубина, на которой наблюдались радионуклиды, составляет ~30 мкм для 71As и 77Bг и достигает 80-100 мкм для 72As и 74As. Профили одного и того же нуклида в разных матрицах по форме идентичны: профили 71As и 77Bг являются монотонными кривыми, а профили 72As и 74As имеют пологий максимум. В GaP глубина профилей As больше, чем в GaAs, тогда как профили Bг в GaAs и InAs различаются слабо. Дана качественная интерпретация отмеченных особенностей профилей, основанная на учете зависимости сечения ядерных реакций, приводящих к образованию трансмутационных нуклидов, от локальной энергии alpha-частиц, а также на учете характера изменения этой энергии с глубиной. С использованием профилей концентрации трансмутационных нуклидов определена энергетическая зависимость сечения ядерных реакций, приводящих к образованию этих нуклидов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.