"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рентгенодифракционное исследование границы раздела между кристаллами Hg1-xCdxTe и анодными пленками
Галкин И.М.1, Нефедов А.А.1, Чапланов В.А.1, Шипов И.А.1, Якимов С.С.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Методом асимптотической брэгговской дифракции рентгеновских лучей исследована граница раздела между кристаллом Hg1-xCdxTe и анодными оксидными и сульфидными пленками на его поверхности. Результаты подтверждают, что приповерхностные слои кристалла обеднены ртутью. Определены параметры, характеризующие переходной слой между кристаллом и пленками на полярных гранях (111) кристалла. Обсуждается влияние анизотропии внутренних электрических полей на процессы массопереноса в приповерхностной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.