"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe <Tl,Pbex>
Гаврикова Т.А.1, Зыков В.А.1, Немов С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 января 1993 г.

Экспериментально установлено, что в тонких эпитаксиальных пленках PbSe, легированных Tl и избытком свинца, полученных методом "горячей стенки" на BaF2, так же как и в объемных образцах, имеет место явление самокомпенсации. Реализация этого эффекта в пленках осложнена наличием заметного количества (~1·1019 см-3) неравновесных точечных дефектов. Исследовано влияние технологических факторов и состава шихты на свойства пленок. Определены условия получения максимально компенсированных образцов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.