"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Краевое излучение в ZnSe<Li>, облученном электронами
Гринев В.И.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

В спектрах краевого излучения ZnSe после облучения электронами с энергией 6 МэВ обнаружена R-полоса (2.703 эВ) рекомбинации донорно-акцепторных пар. Полученные данные доказывают ответственность примеси замещения LiZn за R-акцептор и связь R-доноров с вводимыми при облучении дефектами основной решетки. Наиболее вероятными R-донорами являются двукратно ионизируемые нейтральные вакансии селена. Образование вследствие радиационного разрушения подрешетки селена вакансий селена в зарядовом состоянии V+Se подтверждается выполненными нами ранее исследованиями ЭПР.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.