Вышедшие номера
Статические характеристики кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированной базой
Грехов И.В.1, Шулекин А.Ф.1, Векслер М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Приведены результаты исследования статических характеристик кремниевого оже-транзистора с туннельным МОП эмиттером и индуцированной базой. Туннельно-тонкий окисел МОП эмиттера изготавливался путем окисления в сухом кислороде при T=700oC в течение 20-60 мин, размер эмиттера 20x20 мкм2 . Исследования показали, что на зависимости дифференциального коэффициента усиления betad от напряжения эмиттер-база имеются участки резкого возрастания через интервалы, соответствующие возрастанию энергии туннелирующих электронов на величину порядка Eg кремния; этим участкам соответствует резкое замедление роста IB, свидетельствующее о появлении внутреннего источника дырок. На основании этого делается вывод о возможной многокаскадной оже-ионизации в области объемного заряда коллектора, производимой туннелирующими горячими электронами. Транзисторы имели betad=700-900 и хорошо воспроизводились технологически, что в сочетании с ожидаемым высоким быстродействием дает возможность рассматривать их в качестве перспективной элементной базы кремниевой микроэлектроники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.