Предлагается метод обработки результатов измерения спектров DLTS, который позволяет с достаточно хорошим приближением определить плотность поверхностных состояний (ПС) на границе полупроводник-диэлектрик в значительно расширенном интервале энергий ПС МДП структуры. Измерения релаксации напряжения производятся при разных постоянных положениях квазиуровня Ферми для электронов на поверхности полупроводника, и плотность ПС определяется в том же интервале энергий от состояния обогащения основными носителями тока до начала сильной инверсии. Предложенный метод проверен путем численного расчета перезарядки сплошного спектра при взаимодействии ПС с обеими разрешенными зонами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.